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損耗分析-準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)檢測(cè)儀

簡(jiǎn)要描述:Enlitech 隆重推出QFLS-Maper 損耗分析-準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)檢測(cè)儀,可視覺(jué)化呈現(xiàn)QFLS image,一眼即可掌握樣品QFLS、Pseudo J-V、PLQY、EL-EQE等全貌;最快2分鐘可透過(guò)Pseudo J-V評(píng)估材料效率的極限;極限3秒,就可以了解QFLS費(fèi)米能級(jí)分布情況,1眼掌握材料整理全貌、2分鐘評(píng)估材料潛力、3秒鐘分析QFLS態(tài)樣。

  • 產(chǎn)品型號(hào):QFLS-Maper
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2025-05-05
  • 訪  問(wèn)  量: 718

詳細(xì)介紹

品牌Enlitech價(jià)格區(qū)間面議
測(cè)量模式交流產(chǎn)地類別進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域能源

產(chǎn)品介紹

什么是QFLS?

QFLS準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂(Quasi-Fermi Level Splitting),用于描述光照下光生載流子(電子和空穴)之間的非平衡態(tài)能級(jí)分布。

  • 用于量化材料的Voc潛力,幫助研究者理解非輻射復(fù)合損失的來(lái)源。

  • 通過(guò)逐層測(cè)試,評(píng)估不同制備工藝對(duì)材料性能的影響,為界面工程和材料優(yōu)化提供依據(jù)

準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂(Quasi-Fermi Level Splitting,QFLS)是太陽(yáng)能研究中一個(gè)重要的物理參數(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料與光電器件的性能評(píng)估。QFLS描述了在非平衡態(tài)下,電子與空穴的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)之間的能量差,并與光伏器件的開路電壓(Open-Circuit Voltage,VOC)以及光電轉(zhuǎn)換效率(Power Conversion Efficiency,PCE)密切相關(guān)。本文旨在全面探討QFLS的基本概念和定義、背景與重要性、測(cè)量方法、計(jì)算公式及其在光伏器件中的應(yīng)用,并分析其未來(lái)發(fā)展方向。


  在實(shí)驗(yàn)中,QFLS可以通過(guò)光致發(fā)光(PL)測(cè)量技術(shù)來(lái)量化。例如,利用光子量子產(chǎn)率(PLQY)和光致發(fā)光光譜數(shù)據(jù),可以計(jì)算出QFLS值,進(jìn)一步得到iVOC,來(lái)評(píng)估材料的光電轉(zhuǎn)換潛力 QFLS和Pseudo J-V的關(guān)聯(lián) Pseudo J-V曲線(擬態(tài)J-V)是一種基于量測(cè)數(shù)據(jù)理論推導(dǎo)重建的電流密度-電壓(J-V)曲線,通常用于評(píng)估太陽(yáng)能材料或組件的效率潛力。 與實(shí)際測(cè)量的J-V曲線不同,Pseudo J-V曲線不受元件結(jié)構(gòu)(如電極或傳輸層)的影響。

  • 幫助分析材料的理論效率上限,為器件設(shè)計(jì)提供參考。

  • 在器件制備前,快速篩選出具有高效率潛力的材料,降低實(shí)驗(yàn)成本和時(shí)間


損耗分析-準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)檢測(cè)儀


特點(diǎn)

QFLS-Maper 損耗分析-準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)檢測(cè)儀

 ● 分析材料極限:

損耗分析-準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)檢測(cè)儀

 


3秒內(nèi)獲得QFLS視覺(jué)圖
2分鐘內(nèi)測(cè)得Pseudo jv
讓你迅速得知光伏材料的iVoc以及最佳IV曲線圖


 ● 視覺(jué)化呈現(xiàn):


損耗分析-準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)檢測(cè)儀

QFLS Image視覺(jué)化材料整體準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分布情況,材料優(yōu)劣一覽無(wú)遺


 多模態(tài)功能


損耗分析-準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)檢測(cè)儀


可量測(cè)QFLS、iVoc、Pseudo jv、PL image、PLQY、ELimage、EL-EQE…等太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵參數(shù)


規(guī)格

QFLS-Maper 損耗分析-準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)檢測(cè)儀


項(xiàng)目規(guī)格
光譜檢測(cè)范圍
  • 580nm~1100nm(520nm雷射波長(zhǎng))

光學(xué)強(qiáng)度動(dòng)態(tài)范圍
  • 1/10000 (10?4) ~ 15 太陽(yáng)光強(qiáng)度(≥ 5個(gè)數(shù)量級(jí))

  • PLQY 1E-4% ~ 100%(≥ 6個(gè)數(shù)量級(jí))

測(cè)量速度
  • QFLS影像:< 3秒

  • Pseudo JV曲線:最快<2分鐘

掃描類型
  • 全場(chǎng)影像掃描

多模態(tài)功能模組
  • QFLS

  • QFLS image

  • iVOC

  • Pseudo J-V

  • PLQY

  • PLQY image

  • In Situ PL

  • EL-EQE

  • EL image








應(yīng)用

 ● 單結(jié)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池

 ● 鈣鈦礦薄膜材料












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